CVD Tantalum Carbide (TaC) Coating

TaC-coating wurdt meastentiids beskôge as SiC syn grinzen begjint te berikken. Dit bart faker yn SiC-epitaxy of kristalgroei, wêr't sawol temperatuer as prosesatmosfear easken stelle.

Mei in folle heger smeltpunt kin TaC langere bleatstelling oan hege temperatueren better ferneare, benammen yn omjouwings mei wetterstof of HCl. Yn 'e praktyk makket dit in ferskil yn prosessen lykas PVT-groei, dêr't termyske stabiliteit direkt ynfloed hat op 'e kristalkwaliteit.

Typyske tapassingen omfetsje streamliedingsringen, siedhâlders, kroes-relatearre ûnderdielen en oare struktueren binnen it termyske fjild. Dizze komponinten wurde lange perioaden bleatsteld oan rûge omstannichheden, dus it ferminderjen fan degradaasje wurdt wichtich. Yn guon opsetten ferfangt TaC stadichoan âldere materialen lykas pBN, en sels guon SiC-coated ûnderdielen, hoewol dit noch altyd ôfhinklik is fan kosten en prosesûntwerp.